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晶圆产能紧缺厂商的新订单开始涨价均为20%
发布时间:2021-01-06 06:15    文章作者:欧冠竞猜

  晶圆产能紧缺在半导体产业引发了一系列连锁反应。本周内,受上游晶圆供应紧缺影响,、驱动IC等涨价消息甚嚣尘上。在供应偏紧的情况下,市场上已经有部分MOSFET厂商的新订单开始涨价,涨幅均为20%。

  与此同时,随着iPhone12预购优于预期,各大平台一片售罄热销之时,关于新机的散热问题也持续发酵。作为5G手机突围的三大关键技术之一,散热的重要性不言而喻,也吸引了越来越多的终端厂商在散热领域加注砝码。

  今年以来,由于终端需求旺盛,导致晶圆产能供应偏紧而涨价,并进一步传导到MOSFET领域,使得MOSFET价格持续上涨。据业内人士称,由于库存消耗殆尽,目前市场上已经有部分MOSFET厂商的新订单已开始涨价,涨幅均为20%。

  事实上,早在9月中旬,包括富满电子、德瑞普、金誉半导体在内的三家深圳MOSFET厂商就陆续向下游客户发布涨价通知,宣布将在10月1日起上调公司产品价格。而富满电子也针对8205系列产品出货单价自2020年10月14日起,在原价基础上,再上调0.05元。

  据业内人士表示,在中美贸易战的持续升级之下,国产替代的需求十分旺盛。与此同时,随着国内疫情趋于稳定,疫情后的反弹也随之到来,下游客户从保守备货,到开始冲业绩堆库存,力争完成2020年制定的销售计划。

  值得注意的是,目前向下游客户发出涨价通知的国内MOSFET厂商并不多,多数厂商并不能将新增加的成本顺利转移至下游客户,更多地却是在考验公司对市场的预判和供应链的把控。

  另一名业内人士直言到,国内MOSFET市场存在恶性竞争,价格只有更低没有最低,这样不合理的价格竞争是导致MOSFET价格无法顺利上涨的障碍。因此,在目前的国内市场中,MOSFET缺货、交期拉长普遍存在,但价格还没有明显上涨。

  集微网从多家国内MOSFET厂商了解到,目前,国内MOSFET厂商已经基本没有库存,但市场景气度较高,缺货还在持续。

  国内一家MOSFET厂商人员表示,公司产品交期都在2个月以上。另一家MOSFET厂商人员指出,由于上游FAB不能给我们交期,所以公司目前很难给客户准确的交期,没有预测的或许就是遥遥无期。

  “相对于晶圆代工厂而言,封测厂商的产能更加紧张。”上述业内人士表示,目前,国内封测厂商订单暴增,公司排单已经到了2个多月后,当然其中也存在着恐慌造成的多排单现象。

  业内人士预估,出于对终端客户库存消耗方面的考虑,MOSFET行业供应紧张的情况还要持续到明年的Q1。

  在手机产业链方面,随着iPhone12预购优于预期,各大平台一片售罄热销之时,关于新机的散热问题也持续发酵。从石墨散热、金属背板、边框散热、导热凝胶散热到热管散热,再到均热板散热等,智能手机的散热技术不断更迭,也出现多样化的散热方案。

  在华为和小米等品牌厂商的助推下,石墨烯散热的市场逐渐白热化。今年上半年,华为哈勃投资散热材料厂商常州富烯。据悉,作为散热领域的老牌厂商,常州富烯的石墨烯导热膜早已进入华为等国内顶尖手机厂商的供应链体系。

  在华为进行产业链布局之时,小米围绕其生态链需求也早已在石墨烯领域加码投资。2019年,小米产业基金已投资墨睿科技。目前其二期制造端扩产,预计今年底将建成月产10万平的石墨烯导热膜产线。

  除了华米注资的这两家石墨烯厂商外,材料厂商道明光学也看到了石墨烯材料的应用需求,于近期扩产了100万平方米石墨烯膜生产线项目。而贝特瑞拟在福建省建设年产40万平方米石墨烯导热膜生产线,主要应用于柔性屏、智能硬件、移动智能终端、可穿戴设备等领域,将与华为、OPPO、三星、爱立信等行业龙头企业形成配套。

  据集微网了解,近年来石墨烯散热技术逐步取代人工石墨片,也逐步实现了原材料的国产化,但成本考量上却众说纷纭。

  “准确说,真正的石墨烯膜是通过CVD制备单层到多层石墨烯,其导热率超1500W/mK,但由于厚度最大仅有5nm,加上成本高,所以不可能用在低端产品上。”

  与此同时,基于石墨烯技术在轻薄度、导热性能、柔韧性、弹性等层面都具优势。在华为、小米等终端厂商的带动下,石墨烯技术的研发和使用的成本考量也将逐步解决。

  综上来看,随着智能手机、5G基站、服务器、笔电等多领域的散热需要依然高涨,在头部厂商加码技术突围之时,产业链厂商也加速在散热材料、散热组件等领域的布局,如碳元科技、中石科技、飞荣达、硕贝德等,5G的散热需求带来的市场红利也在逐步显现。

  除了散热材料之外,ODM厂商也是手机品牌十分重要的组成部分,其中三星、华为、OPPO、vivo、小米、联想、诺基亚等手机厂商,已经成为ODM厂商的主要客户。随着智能手机市场的高度集中化,ODM厂商出货量也同样越来越集中。到了2020年,ODM厂商龙头优势体现的更加明显。

  据笔者查询Omdia数据显示,到了2020年,华勤手机出货量将达到1.4亿部,闻泰手机出货量将达到1.3亿部,据业界人士向笔者透露,龙旗的出货量也将达到1.1亿部,这也就意味着,国内ODM前三大厂商合计出货量将达到3.8亿部!

  据笔者从行业得知,华勤今年智能手机的出货量超过了1.6亿部,全品类(平板、笔记本、智能手表等)出货量则有望超过2亿部,而华勤去年全品类出货量在1.2亿部左右,按照该数据,华勤今年智能手机业务和非智能手机业务几乎都实现了翻倍的增长。

  其次则是闻泰,闻泰2020年智能手机出货量主要增长点则是三星、OPPO等手机厂商。除手机ODM业务外,闻泰目前参与华为和小米平板、笔记本、智能穿戴和IoT产品,2020年其非手机ODM产品出货将同步增长。

  其三则是龙旗,作为手机ODM行业第三名,龙旗今年出货量与去年相比略有增长,据某数据机构人士向笔者表示:“龙旗今年出货量预计在1.1亿部左右。”该出货量与华勤、闻泰还是有一些的差距。

  实际上,从前几大ODM厂商华勤、闻泰、龙旗等来看,目前的格局已经十分稳定,在手机市场也处于存量竞争状态,目前仍是一个不确定因素的,那就是vivo,目前vivo尚且还未对外释放ODM订单,如果vivo模仿OPPO释放订单的话,那么对于ODM厂商而言无疑也将新增不少订单,不过,受益于的依然是龙头企业。

  在立足手机市场的同时,各大ODM厂商也均在向周边智能终端产品拓展,如华勤和闻泰,当前业务已经涉及到平板、电脑、智能手机等甚至TWS耳机等,试图通过一线品牌大客户进行产品线的扩张,从而维持企业的持续增长!

  原文标题:一周概念股:多家MOSFET厂商产品涨价20% 华为小米加码石墨烯导热膜

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  031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...

  1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...

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  代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...

  度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...

  31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...

  39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...

  1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...

  49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...

  41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...

  47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...

  0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器

  内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...

  0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器

  1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...


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